- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383840 > STB100NF04LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STB100NF04LT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 40V的五（巴西）直| 100號A（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | STB100NF04LT4 |
STB100NF03L-03
2/9
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
°
C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
0.5
62.5
300
°
C/W
°
C/W
°
C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125
°
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
15V
±
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 50 A
I
D
= 50 A
0.0026
0.0032
0.0032
0.0045
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(*)
Forward Transconductance
V
DS
>I
D(on)
xR
DS(on)max
I
D
=10 A
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
6200
1720
300
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB10NA40-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262VAR |
| STB10NA40T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| STB10NB20T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| STB10NB50T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10.6A I(D) | TO-263AB |
| STB10NC50 | N-CHANNEL 500V - 0.48 OHM - 10A - I2PAK/D2PAK POWERMESH MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB100NF04T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB100NH02L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
| STB100NH02LT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB101-0.421-34 | 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述: |
| STB101-0.473-31 | 制造商:Lyn-Tron Inc 功能描述: |
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