參數(shù)資料
型號： STA506A
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel General purpose
中文描述： 2 A, 100 V, 0.95 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： STA, 10 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 23K
代理商： STA506A
158
Characteristic curves
STA506A
(T
a
=25
°
C)
Symbol
Ratings
Unit
V
DSS
100
V
V
GSS
±
20
±
2
V
I
D
A
I
D(
pulse
)
±
5 (PW
≤
100
μ
s, D
u
≤
1%)
5.6
A
E
AS
*
mJ
4 (Ta=25
°
C)
20 (Tc=25
°
C)
150
W
W
Tch
°
C
°
C
Tstg
–40 to +150
* :
V
DD
=25V, L=2.2mH, I
L
=2A, unclamped, R
G
=50
, see Fig. E on page 15.
P
T
(T
a
=25
°
C)
Symbol
Unit
Conditions
V
(BR)DSS
100
V
I
D
=100
μ
A, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
I
GSS
±
100
100
nA
I
DSS
μ
A
V
TH
1.0
2.0
V
V
DS
=10V, I
D
=250
μ
A
Re
(
yfs
)
1.5
2.0
S
V
DS
=10V, I
D
=1A
0.55
0.80
V
GS
=10V, I
D
=1A
0.70
0.95
V
GS
=4V, I
D
=1A
Ciss
150
pF
V
DS
=25V,
Coss
45
pF
f=1.0MHz,
Crss
9
pF
V
GS
=0V
td
(
on
)
15
ns
I
D
=1A,
t
r
30
ns
V
DD
50V,
td
(
off
)
40
ns
R
L
=50
,
t
f
30
ns
V
GS
=5V, see Fig. 3 on page 16.
V
SD
1.0
1.5
V
I
SD
=2A, V
GS
=0V
t
rr
160
ns
I
SD
=
±
100mA
Specification
typ
min
max
R
DS(ON)
5
7
9
2
4
3
6
8
1
10
0
10
1
0
V
DS
(V)
I
D
5
4
2
3
2
4
6
8
4V
10V
V
GS
=3V
3.5V
5V
0
5
4
3
2
1
(V
DS
=10V)
25
°
C
125
°
C
0
2
6
4
T
C
=–40
°
C
V
GS
(V)
I
D
V
GS
=10V
V
GS
=4V
0
0
4
5
0.2
0.6
0.4
0.8
I
D
(A)
R
D
)
1
2
3
0.05
0.3
0.5
0.1
0.5
I
D
(A)
1
1
R
5
5
T
C
=–40
°
C
(V
DS
=10V)
25
°
C
125
°
C
–
40
0
0
50
T
C
(
°
C)
100
150
1.0
0.5
1.5
R
D
)
(I
D
=1A)
V
GS
=10V
V
GS
=4V
0
10
20
30
40
50
5
10
50
500
100
V
DS
(V)
C
V
GS
=0V
f=1MHz
Ciss
Crss
Coss
00
0.5
1.0
1.5
5
4
3
I
D
V
SD
(V)
2
1
10V
4V
V
GS
=0V
0.5
1
5
V (V)
DS
10
50
100
0.1
0.5
1
5
10
D
D
I (pulse) max
1m
1m (so)
DS (ON
R
LMTED
10
μ
s
25
30
20
15
10
5
0
With Silicone Grease
Natural Cooling
Heatsink: Aluminum
0
50
100
150
T
a
(
°
C)
P
T
WthIninteHeasnk
Without Heatsink
N-channel
General purpose
External dimensions
D
STA400
I
Equivalent circuit diagram
Absolute maximum ratings
Electrical characteristics
I
D
-V
DS
Characteristics (Typical)
I
D
-V
GS
Characteristics (Typical)
R
DS(ON)
-I
D
Characteristics (Typical)
Re
(yfs)
-I
D
Characteristics (Typical)
R
DS(ON)
-T
C
Characteristics (Typical)
Capacitance-V
DS
Characteristics (Typical)
I
DR
-V
SD
Characteristics (Typical)
P
T
-T
a
Characteristics
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