參數(shù)資料
型號(hào)： STA461
廠商： Sanken Electric Co.,Ltd.
英文描述： Power Transistor Array
中文描述： 功率晶體管陣列
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 22K
代理商： STA461
0
1
2
5
3
4
I
I
C
— V
CE
Characteristics (typ.)
0
5
4
3
2
I
C
V
CE
(V)
1
7
6
0
0.25
0.75
0.5
0.1
1
10
I
V
CE
(sat)
— I
C
Temperature Characteristics (typ.)
V
C
(
I
C
(A)
0.01
0.1
10
1
I
h
FE
— I
C
Temperature Characteristics (typ.)
50
h
F
I
C
(A)
2000
1000
500
100
0
1
2
3
I
t
on
t
stg
t
f
— I
C
Characteristics
0.1
0.5
1
t
o
t
s
t
f
μ
S
Ic (A)
5
1
5
10
50
100
I
Safe Operating Area (single pulse)
0.5
0.1
1
5
I
C
V
CE
(V)
20
10
0
0.5
1.0
1.5
I
I
C
— V
BE
Temperature Characteristics (typ.)
0
6
5
4
3
2
1
I
C
V
BE
(V)
I
B
=
1mA
3mA
V
CC
=
12V
I
B1
= –
I
B2
=
30mA
I
C
/I
B
=
100
(V
CE
=
1V)
(V
CE
=
1V)
0
50
150
100
0
10
15
5
P
T
Ta (oC)
20
Ta
= –
55oC
25oC
75oC
125oC
1s
0m
1m
Ta
=
125oC
75oC
25oC
–55oC
0.1
1
10
100
2000
I
j-a
— t Characteristics
0.05
0.1
0.5
1
5
(
t (ms)
10
Single pulse
10mA
30mA
20mA
5mA
Ta
=
125oC
75oC
25oC
–55oC
t
f
t
on
Without heatsink
Wthinint hasn
t
stg
Without heatsink
natural air cooling
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
Ratings
65
±
5
65
±
5
6
±
6 (pulse
±
10)
1
Unit
V
(Ta=25oC)
(Ta=25oC)
Unit
μ
A
μ
A
V
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
h
FE
V
CE
(sat)
V
FEC
Es/b
Test Conditions
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
=
50mA
V
CE
=
1V, I
C
=
1A
I
C
=
1.5A, I
B
=
15mA
I
FEC
=
6A
L
=
10mH, single pulse
Ratings
10max
10max
60 to 70
400 to 1500
0.15max
1.5max
80min
V
V
mJ
V
V
A
A
W
W
oC
oC
3.2 (Ta
=
25oC)
18 (Tc
=
25oC)
150
–55 to +150
P
T
Tj
Tstg
12
V
CC
(V)
12
R
L
(
)
1
I
C
(A)
10
V
BB1
(V)
–5
V
BB2
(V)
30
I
B1
(mA)
–30
I
B2
(mA)
0.2
t
on
(
μ
s)
3.9
t
stg
(
μ
s)
0.2
t
f
(
μ
s)
Absolute Maximum Ratings
Electrical Characteristics
Typical Switching Characteristics
3
2
4
8
7
9
I
P
T
— Ta Derating
Power Transistor Array STA461C
65
Equivalent Circuit Diagram
a) Type No.
b) Lot No.
(Unit: mm)
9 2.54=22.86
±
0.05
a
b
(2.54)
25.25
±
0.2
9
±
0
2
±
0
1
±
0
4
±
0
0.5
±
0.15
1.0
±
0.25
C1.5
±
0.5
±
4
±
0
0
±
0
1
±
0
1
3
C
2
B
4
E
5
6
7
B
10
8
C
9
E
External Dimensions
STA4 (LF400B)
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PDF描述
STA461C Power Transistor Array
STA463C Power Transistor Array
STA471A NPN Darlington With built-in avalanche diode
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參數(shù)描述
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STA470-30T2MI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫(kù)存號(hào):T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長(zhǎng)度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
STA470-50T3MI 功能描述:鉭質(zhì)電容器-濕式 RoHS:否 制造商:Vishay/Tansitor 電容:2800 uF 電壓額定值:35 V ESR:0.35 Ohms 容差:20 % 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 制造商庫(kù)存號(hào):T4 Case 外殼直徑:9.52 mm 外殼長(zhǎng)度:26.97 mm 外殼寬度: 外殼高度: 系列:STE 產(chǎn)品:Tantalum Wet Hermetically Sealed 封裝:Bulk
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