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參數(shù)資料
| 型號： | ST72345C4T6 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MICROCONTROLLER, PQFP48 |
| 封裝： | 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 126/246頁 |
| 文件大小： | 2016K |
| 代理商： | ST72345C4T6 |
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ST72344xx, ST72345xx
Electrical characteristics
211/246
13.7
Memory characteristics
TA = –40°C to 85°C, unless otherwise specified.
Table 99.
RAM and hardware registers
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRM
Data retention mode (1)
1.
Minimum VDD supply voltage without losing data stored in RAM (in Halt mode or under reset) or in
hardware registers (only in Halt mode). Guaranteed by construction, not tested in production.
Halt mode (or reset)
1.6
V
Table 100.
Flash program memory
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Operating voltage for
Flash write/erase
Refer to operating range of
2.7
5.5
V
tprog
Programming time for
1~32 bytes (1)
1.
Up to 32 bytes can be programmed at a time.
TA=40 to +85°C
5
10
ms
tRET
Data retention (2)
2.
Data based on reliability test results and monitored in production.
TA=+55°C
(3)
3.
The data retention time increases when the TA decreases.
20
years
NRW
Write erase cycles
TA=+25°C
10K (4)
4.
Design target value pending full product characterization.
cycles
IDD
Supply current (5)
5.
Guaranteed by Design. Not tested in production.
Read / Write / Erase modes
fCPU = 8 MHz, VDD = 5.5V
2.6
mA
No Read/No Write Mode
100
A
Power down mode / Halt
0
0.1
A
Table 101.
EEPROM data memory
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VDD
Operating voltage for
EEPROM write/erase
Refer to operating range of
2.7
5.5
V
tprog
Programming time for
1~32 bytes
TA=40 to +85°C
5
10
ms
tret
Data retention(1)
1.
Data based on reliability test results and monitored in production.
TA=+55°C
(2)
2.
The data retention time increases when the TA decreases.
20
years
NRW
Write erase cycles
TA=+25°C
300K
(3)
3.
Design target value pending full product characterization.
cycles
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