參數(shù)資料
型號： ST333C08CDK1L
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
封裝： ROHS COMPLIANT, METAL, EPUK-3
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： ST333C08CDK1L
www.vishay.com
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Document Number: 93678
2
Revision: 15-May-08
ST333C..C Series
Vishay High Power Products
Inverter Grade Thyristors
(Hockey PUK Version), 720 A
CURRENT CARRYING CAPABILITY
FREQUENCY
UNITS
50 Hz
1630
1420
2520
2260
7610
6820
A
400 Hz
1630
1390
2670
2330
4080
3600
1000 Hz
1350
1090
2440
2120
2420
2100
2500 Hz
720
550
1450
1220
1230
1027
Recovery voltage Vr
50
V
Voltage before turn-on Vd
VDRM
Rise of on-state current dI/dt
50
-
A/s
Heatsink temperature
40
55
40
55
40
55
°C
Equivalent values for RC circuit
10/0.47
Ω/F
ON-STATE CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average on-state current
at heatsink temperature
IT(AV)
180° conduction, half sine wave
Double side (single side) cooled
720 (350)
A
55 (75)
°C
Maximum RMS on-state current
IT(RMS)
DC at 25 °C heatsink temperature double side cooled
1435
A
Maximum peak, one half cycle,
non-repetitive surge current
ITSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal half wave,
initial TJ = TJ maximum
11 000
t = 8.3 ms
11 500
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
9250
t = 8.3 ms
9700
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
605
kA2s
t = 8.3 ms
553
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
428
t = 8.3 ms
391
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied
6050
kA2
√s
Maximum peak on-state voltage
VTM
ITM = 1810 A, TJ = TJ maximum, tp = 10 ms sine wave pulse
1.96
V
Low level value of threshold voltage
VT(TO)1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.91
High level value of threshold voltage
VT(TO)2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
0.93
Low level value of forward slope resistance
rt1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.58
m
Ω
High level value of forward slope resistance
rt2
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ maximum
0.58
Maximum holding current
IH
TJ = 25 °C, IT > 30 A
600
mA
Typical latching current
IL
TJ = 25 °C, VA = 12 V, Ra = 6 Ω, IG = 1 A
1000
SWITCHING
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
MIN.
MAX.
Maximum non-repetitive rate of rise
of turned on current
dI/dt
TJ = TJ maximum, VDRM = Rated VDRM; ITM = 2 x dI/dt
1000
A/s
Typical delay time
td
TJ = 25 °C, VDM = Rated VDRM, ITM = 50 A DC, tp = 1 s
Resistive load, gate pulse: 10 V, 5
Ω source
1.1
s
Maximum turn-off time
tq
TJ = TJ maximum,
ITM = 550 A, commutating dI/dt = 40 A/s
VR = 50 V, tp = 500 s, dV/dt: See table in device code
10
30
180° el
I
TM
180° el
I
TM
100 s
I
TM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST333C08CDL2L 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST333C08CDM3L 1435 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST333S04PFL0P 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE
ST333S04PFL1P 518 A, 400 V, SCR, TO-209AE
ST333S08PFL0P 518 A, 800 V, SCR, TO-209AE
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參數(shù)描述
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ST333C08CFM1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 1435A 800V TO-200AB
ST333C08CFM1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:THYRISTOR 1435A 800V TO-200AB
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