參數(shù)資料
型號: ST300C18C0
英文描述: MAX II CPLD 1270 LE 256-FBGA
中文描述: 1800采用650A相控制晶閘管采用TO - 200AB(電子北辰)封裝
文件頁數(shù): 2/7頁
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代理商: ST300C18C0
ST300C..C Series
2
www.irf.com
Bulletin I25157 rev. C 04/00
ST300C..C
50
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
Code
V
DRM
/V
RRM
, max. repetitive
peak and off-state voltage
V
V
RSM
, maximum non-
repetitive peak voltage
V
I
DRM
/I
RRM
max.
@ T
J
= T
J
max
mA
Type number
04
400
500
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
18
1800
1900
20
2000
2100
I
T(AV)
Max. average on-state current
650 (320)
A
180
°
conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (75)
°
C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
I
TSM
Max. RMS on-state current
1290
DC @ 25
°
C heatsink temperature double side cooled
Max. peak, one-cycle
8000
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
8380
A
t = 8.3ms
reapplied
6730
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
7040
t = 8.3ms
Sinusoidal half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
320
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
292
t = 8.3ms
reapplied
226
t = 10ms
100% V
RRM
207
t = 8.3ms
reapplied
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
3200
KA
2
s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)
1
Low level value of threshold
voltage
V
T(TO)
2
High level value of threshold
voltage
r
t1
Low level value of on-state
slope resistance
r
t2
High level value of on-state
slope resistance
V
TM
I
H
I
L
Max. on-state voltage
2.18
V
I
pk
= 1635A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sine pulse
Maximum holding current
600
Typical latching current
1000
0.97
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.74
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.73
(I >
π
x I
T(AV)
),T
J
= T
J
max.
Parameter
ST300C..C
Units Conditions
0.98
(I >
π
x I
T(AV)
),T
J
= T
J
max.
On-state Conduction
KA
2
s
V
m
mA
T
J
= 25
°
C, anode supply 12V resistive load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST300C18L0 MAX II CPLD 1270 LE 256-FBGA
ST300C20C0 MAX II CPLD 1270 LE 144-TQFP
ST300C20L0 MAX II CPLD 1270 LE 144-TQFP
ST300S04P0 MAX II CPLD 1270 LE 256-MBGA
ST300S08P0 MAX II CPLD 1270 LE 256-MBGA
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參數(shù)描述
ST300C18C1L 功能描述:SCR模塊 1800 Volt 650 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
ST300C18L0 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1800V 560A Phase Control SCR in a TO-200AC (B-Puk) package
ST300C20C0 功能描述:SCR PHASE CONT 2000V 650A E-PUK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> SCR - 單個 系列:- 其它有關(guān)文件:X00619 View All Specifications 產(chǎn)品目錄繪圖:SCR TO-92 Package 標準包裝:1 系列:- SCR 型:靈敏柵極 電壓 - 斷路:600V 電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)(最大):800mV 電壓 - 導通狀態(tài) (Vtm)(最大):1.35V 電流 - 導通狀態(tài) (It (AV))(最大):500mA 電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))(最大):800mA 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)(最大):200µA 電流 - 維持(Ih):5mA 電流 - 斷開狀態(tài)(最大):1µA 電流 - 非重復電涌,50、60Hz (Itsm):9A,10A 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 供應商設備封裝:TO-92-3 包裝:剪切帶 (CT) 產(chǎn)品目錄頁面:1554 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-9067-1
ST300C20C0L 功能描述:SCR模塊 650 Amp 2000 Volt 1290 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
ST300C20C1-PBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Phase Control Thyristors (Hockey PUK Version), 650 A