參數(shù)資料
型號： ST13005N
元件分類： 8位微控制器
英文描述： -bit AVR Microcontroller with 8K Bytes In- System Programmable Flash
中文描述： 位AVR微控制器具有8K字節(jié)的系統(tǒng)內(nèi)可編程閃存
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： ST13005N
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
3.12
89
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V
T
j
= 125
o
C
1
5
mA
mA
BV
EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
I
E
= 10 mA
9
18
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 10 mA
L = 25mH
400
V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 1 A
I
C
= 1.5 A
I
B
= 0.1 A
I
B
= 0.25 A
I
B
= 0.5 A
0.5
1
3
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 0.5 A
I
C
= 1 A
I
C
= 0.5 A
Group A
Group B
I
C
= 1 A
I
B
= 0.1 A
I
B
= 0.25 A
V
CE
= 2 V
1.0
1.2
V
V
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 2 V
8
15
5
20
35
25
t
r
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Rise Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 1 A
I
B1
= 0.2 A
T
p
= 25
μ
s
I
C
= 1 A
V
BE
= -5 V
V
clamp
= 300 V
V
CC
= 125 V
I
B2
= -0.2 A
1.0
4.0
0.7
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
I
B1
= 0.2 A
L = 50 mH
0.8
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, dutycycle = 1.5 %
Note : Product is pre-selected inDC current gain (GROUP A and GROUP B).STMicroelectronics reserves the right to ship either groups
according to production availability. Please contact your nearest STMicroelectronics sales office for delivery details.
ST13003
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PDF描述
ST13007D -bit AVR Microcontroller with 8K Bytes In- System Programmable Flash
ST13007DFP Phase-Aligned Clock Multiplier
ST1308 3.3V Zero Delay Buffer
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ST13002 TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220
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參數(shù)描述
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ST-13007 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:NPN Silicon Transistor
ST13007D 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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