參數(shù)資料
型號： ST1230C12K3LPBF
元件分類： 晶閘管
英文描述： 3200 A, 1200 V, SCR
封裝： KPUK-2
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： ST1230C12K3LPBF
ST1230C..K Series
2
www.irf.com
Bulletin I25194 rev. B 01/00
I
T(AV)
Max. average on-state current
1745 (710)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55 (85)
°C
double side (single side) cooled
I
T(RMS)
Max. RMS on-state current
3200
DC @ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
TSM
Max. peak, one-cycle
33500
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
35100
A
t = 8.3ms
reapplied
28200
t = 10ms
100% V
RRM
29500
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I
2t
Maximum I
2t for fusing
5615
t = 10ms
No voltage
Initial T
J = TJ max.
5126
t = 8.3ms
reapplied
3971
t = 10ms
100% V
RRM
3625
t = 8.3ms
reapplied
I
2√t
Maximum I
2√t for fusing
56150
KA
2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO) 1
Low level value of threshold
voltage
V
T(TO) 2
High level value of threshold
voltage
r
t1
Low level value of on-state
slope resistance
r
t2
High level value of on-state
slope resistance
V
TM
Max. on-state voltage
1.62
V
I
pk
= 4000A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sine pulse
I
H
Maximum holding current
600
I
L
Typical latching current
1000
0.93
(16.7% x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.
0.17
(16.7% x
π x I
T(AV)
< I <
π x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
0.16
(I >
π x I
T(AV) ),TJ = TJ max.
Parameter
ST1230C..K
Units Conditions
1.02
(I >
π x I
T(AV)), TJ = TJ max.
On-state Conduction
KA
2s
V
m
mA
T
J
= 25°C, anode supply 12V resistive load
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
V
DRM
/V
RRM
, max. repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
DRM
/I
RRM
max.
Type number
Code
peak and off-state voltage
repetitive peak voltage
@ T
J = TJ max
VV
mA
08
800
900
12
1200
1300
14
1400
1500
16
1600
1700
ST1230C..K
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ST1230C14K0PBF 3200 A, 1400 V, SCR
ST1230C14K0LPBF 3200 A, 1400 V, SCR
ST1230C14K1LPBF 3200 A, 1400 V, SCR
ST1230C14K2PBF 3200 A, 1400 V, SCR
ST1230C14K2LPBF 3200 A, 1400 V, SCR
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參數(shù)描述
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