- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98142 > SST85LD0512-60-RI-LBTE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SST85LD0512-60-RI-LBTE |
| 元件分類： | 存儲控制器/管理單元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封裝： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件頁數(shù)： | 4/36頁 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD0512-60-RI-LBTE |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
12
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Power-on and Brown-out Reset Characteristics
Please contact SST to obtain NANDrive reference design schematics including the POR# circuit for
industrial NANDrive offerings.
Figure 3: Power-on and Brown-out Reset Timing
I/O Transfer Function
The default operation for the NANDrive is 16-bit. However, if the host issues a Set-Feature command
to enable 8-bit mode, the NANDrive permits 8-bit data access.
The following table defines the function of various operations.
Table 6: Power-on and Brown-out Reset Timing
Item
Symbol
Min
Max
Units
VDD/POR# Rise Time1
1. VDD Rise Time should be faster than or equal to POR# Rise Time.
TR
250
ms
VDD/POR# Fall Time2
2. VDD Fall Time should be slower than or equal to POR# Fall Time.
TF
250
ms
T6.0 1382
Table 7: I/O Function
Function Code
CS3FX#
CS1FX#
A0-A2
IORD#
IOWR#
D15-D8
D7-D0
Invalid Mode
VIL
X
Undefined
Standby Mode
VIH
X
High Z
Task File Write
VIH
VIL
1-7H
VIH
VIL
X
Data In
Task File Read
VIH
VIL
1-7H
VIL
VIH
High Z
Data Out
Data Register Write
VIH
VIL
0VIH
VIL
In1
1. If 8-bit data transfer mode is enabled.
In 8-bit data transfer mode, High Byte is undefined for Data Out. For Data In, X can be VIH or VIL, but no other value.
In
Data Register Read
VIH
VIL
0VIL
VIH
Out
Control Register Write
VIL
VIH
6H
VIH
VIL
X
Control In
Alt Status Read
VIL
VIH
6H
VIL
VIH
High Z
Status Out
T7.0 1382
1382 F01.0
VDD/POR#
TR
90%
10%
TF
90%
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST85LD1001T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1004T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST85LD0512-60-RI-LBTE-TM023 | 功能描述:閃存 512M NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD0512T-120-5C-LBZE | 功能描述:閃存 512M NAND 120ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1001K-60-4C-LBTE | 功能描述:閃存 1G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1001K-60-PC-LBTE | 功能描述:閃存 1GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1001T-60-5I-LBTE | 功能描述:閃存 1G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。