參數(shù)資料
型號(hào)： SST55VD020-60-C-MVWE
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： 存儲(chǔ)控制器/管理單元
英文描述： IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA85
封裝： 6 X 6 MM, ROHS COMPLIANT, MO-225, VFBGA-85
文件頁(yè)數(shù)： 32/45頁(yè)
文件大小： 666K
代理商： SST55VD020-60-C-MVWE
38
Data Sheet
NAND Controller
SST55VD020
2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71355-03-000
07/09
TABLE 19: DC Characteristics for Host Interface VDDQ = 3.0V
Symbol
Type
Parameter
Min
Max
Units
Conditions
VIH1
I1
Input Voltage
2.0
V
VDDQ=VDDQ Max
VIL1
0.8
VDDQ=VDDQ Min
IIL1
I1Z
Input Leakage Current
-10
10
uA
VIN = GND to VDDQ,
VDDQ = VDDQ Max
IU1
I1U
Input Pull-Up Current
-150
-6
uA
VOUT = GND,
VDDQ = VDDQ Max
VT+2
I2
Input Voltage Schmitt Trigger
2.0
V
VDDQ=VDDQ Max
VT-2
0.8
VDDQ=VDDQ Min
IIL2
I2Z
Input Leakage Current
-10
10
uA
VIN = GND to VDDQ,
VDDQ = VDDQ Max
IU2
I2U
Input Pull-Up Current
-150
-6
uA
VOUT = GND,
VDDQ = VDDQ Max
VOH1
O1
Output Voltage
2.2
V
IOH1=IOH1 Min
VOL1
0.4
IOL1=IOL1 Max
IOH1
Output Current
-2
mA
VDDQ=VDDQ Min
IOL1
Output Current
2
mA
VDDQ=VDDQ Min
VOH2
O2
Output Voltage
2.2
V
IOH2=IOH2 Min
VOL2
0.4
IOL2=IOL2 Max
IOH2
Output Current
3
mA
VDDQ Min
IOL2
Output Current
3
mA
VDDQ Min
VOH6
O6
Output Voltage for DASP# pin
2.2
V
IOH6=IOH6 Min
VOL6
0.4
IOL6=IOL6 Max
IOH6
Output Current for DASP# pin
-2
mA
VDDQ Min
IOL6
Output Current for DASP# pin
8
mA
VDDQ Max
T0-0.1 1355
TABLE 20: Power Consumption
Symbol
Type
Parameter
Min
Max
Units
Conditions
IDD1,2
1. Sequential data transfer for 1 sector read data from host interface and write data to media.
2. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
PWR
Power supply current (TA = 0°C to +70°C)
50
mA
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
PWR
Power supply current (TA = -40°C to +85°C)
100
mA
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
ISP
PWR
Sleep/Standby/Idle current (TA = 0°C to +70°C)
700
A
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
ISP
PWR
Sleep/Standby/Idle current (TA = -40°C to +85°C)
950
A
VDD=VDD Max; VDDQ=VDDQ Max
T0-0.1 1355
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST55VD020-60-I-TQWE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100
SST85LD0512-60-RI-LBTE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91
SST85LD1001T-60-RI-LBTE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91
SST85LD1004T-60-RI-LBTE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91
SST85LD1008M-60-PC-LBTE IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST55VD020-60-C-TQWE 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 2.7V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST55VD020-60-I-MVWE 功能描述:總線收發(fā)器 ATA Media 60MHz 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:74VCX 每芯片的通道數(shù)量:16 輸入電平:CMOS 輸出電平:CMOS 輸出類型:3-State 高電平輸出電流:- 24 mA 低電平輸出電流:24 mA 傳播延遲時(shí)間:6.2 ns 電源電壓-最大:2.7 V, 3.6 V 電源電壓-最小:1.65 V, 2.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-48 封裝:Reel
SST55VD020-60-I-TQWE 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST55VD020-60-I-TQWE-TM024 功能描述:閃存 ATA Media 60MHz 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST58LD008 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:ATA-Disk Chip
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