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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST5485 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFETs |
| 中文描述： | N溝道JFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | SST5485 |
2N/SST5484 Series
Vishay Siliconix
www.vishay.com
7-4
Document Number: 70246
S-04028
—
Rev. E, 04-Jun-01
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
r
DS
g
os
r
DS
@
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0 V
g
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
I
DSS
g
fs
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
–
Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DG
–
Drain-Gate Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (mA)
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
Gate Leakage Current
0.1 mA
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 125 C
I
@
125 C
Output Characteristics
Output Characteristics
Common-Source Forward
Transconductance vs. Drain Current
0.1
1
10
10
8
0
V
GS(off)
=
–
3 V
T
A
=
–
55 C
25 C
125 C
–
0.2 V
–
0.4 V
–
0.6 V
–
0.8 V
–
1.0 V
–
1.2 V
V
GS
= 0 V
–
0.6 V
–
0.9 V
–
1.2 V
–
1.5 V
–
1.8 V
V
GS
= 0 V
–
0.3 V
10
8
0
6
4
2
20
0
16
12
8
4
0
–
10
–
2
–
4
–
6
–
8
100
80
0
60
40
20
500
0
400
300
200
100
0
–
10
–
2
V
GS(off)
–
Gate-Source Cutoff Voltage (V)
–
4
–
6
–
8
0
12
8
4
16
20
0.1 pA
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
6
4
2
10
0
8
6
4
2
0
10
2
4
6
8
15
0
12
9
6
3
0
10
2
4
6
8
V
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
=
–
2 V
V
GS(off)
=
–
3 V
I
D
= 5 mA
1 mA
0.1 mA
I
D
= 5 mA
1 mA
–
1.4 V
g
–
μ
S
r
D
–
g
f
–
I
D
–
g
f
–
I
G
–
I
D
–
I
D
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST5486 | MOSFET, P SO-8MOSFET, P SO-8; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:P; Voltage, Vds max:20V; Case style:SO-8; Current, Id cont:4.5A; Current, Idm pulse:-20A; Power, Pd:1.3W; Resistance, Rds on:0.04R; SMD:1; Charge, gate p |
| SST58LMxxx | ATA-Disk Module |
| SST58SM192 | ATA-Disk Module |
| SST58SMxxx | ATA-Disk Module |
| SST58SM064-70-C-FRI | ATA-Disk Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SST5485-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:JFET |
| SST5485-T1 | 功能描述:JFET 35V 4mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST5485-T1-E3 | 功能描述:JFET 35V 4mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST5486 | 功能描述:JFET 35V 8mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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