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參數(shù)資料
| 型號： | SST39VF512-70-4C-NHE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| 中文描述： | 64K X 8 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PQCC32 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 9/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 375K |
| 代理商： | SST39VF512-70-4C-NHE |
Data Sheet
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
9
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71150-09-000
1/06
AC CHARACTERISTICS
TABLE
9: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0-3.6V
FOR
SST39LF512/010/020/040
AND
2.7-3.6V
FOR
SST39VF512/010/020/040
Symbol Parameter
T
RC
Read Cycle Time
T
CE
Chip Enable Access Time
T
AA
Address Access Time
T
OE
Output Enable Access Time
T
CLZ1
CE# Low to Active Output
T
OLZ1
OE# Low to Active Output
T
CHZ1
CE# High to High-Z Output
T
OHZ1
OE# High to High-Z Output
T
OH1
Output Hold from Address Change
SST39LF512-45
SST39LF010-45
SST39LF020-45
SST39LF040-45
Min
45
SST39LF020-55
SST39LF040-55
Min
55
SST39VF512-70
SST39VF010-70
SST39VF020-70
SST39VF040-70
Min
70
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
Max
45
45
30
55
55
30
70
70
35
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
0
0
15
15
15
15
25
25
0
0
0
T9.2 1150
TABLE 10: P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH1
T
CPH1
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
SCE
Parameter
Byte-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Chip-Erase
Min
Max
20
Units
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
150
25
100
T10.1 1150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF512-70-4C-WHE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF512-70-4I-NHE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF512-70-4I-WHE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF010-90-4I-WK | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
| SST39VF080-70-4C-B3KE | 64 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST39VF512-70-4C-NHE_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST39VF512-70-4C-NHE-T | 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 512Kbit Multi-Purpose 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST39VF512-70-4C-WH | 功能描述:閃存 64K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST39VF512-70-4C-WHE | 功能描述:閃存 64K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST39VF512-70-4C-WHE-T | 功能描述:閃存 2.7 to 3.6V 512Kbit Multi-Purpose 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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