- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365700 > SST34HF3223B-90-4E-LP CY8C21634 PSoC Mixed Signal Arrays; Analog PSoC Blocks: 4 Type "E"; Digital PSoC Blocks: 2-Basic 2-Comms; Memory Size: 8KB Flash; Temperature Range: -40C to +85C; # of I/O Pins: 26; # of Pins/Ball: 32; RAM: 512bytes; Vcc (V): 2.4V to 5.25V; Package: MLF PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SST34HF3223B-90-4E-LP |
| 英文描述： | CY8C21634 PSoC Mixed Signal Arrays; Analog PSoC Blocks: 4 Type "E"; Digital PSoC Blocks: 2-Basic 2-Comms; Memory Size: 8KB Flash; Temperature Range: -40C to +85C; # of I/O Pins: 26; # of Pins/Ball: 32; RAM: 512bytes; Vcc (V): 2.4V to 5.25V; Package: MLF |
| 中文描述： | 混合存儲器|靜態(tài)存儲器EEPROM中|的CMOS | BGA封裝| 56PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 12/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | SST34HF3223B-90-4E-LP |
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12
Data Sheet
16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2 / 4 Mbit SRAM ComboMemory
SST34HF1621 / SST34HF1641
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71172-05-000
10/01 523
TABLE
8: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
(V
DD
= V
DDF
AND
V
DDS
= 2.7-3.3V)
Symbol
I
DD
Parameter
Active V
DD
Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max, all DQs open
OE#=V
IL
, WE#=V
IH
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
Min
Units
Read
Flash
SRAM
35
20
60
mA
mA
mA
Concurrent Operation
Write
1
Flash
SRAM
Standby V
DD
Current
40
20
40
75
40
75
30
1
1
0.8
0.3
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
V
V
V
BEF#=V
IL
, BES1#=V
IH
,
or BES2=V
IL
, OE#=V
IH
BEF#=V
IH
, BES1#=V
IL ,
BES2=V
IH
V
DD
= V
DD
Max, BEF#=BES1#=V
IHC
,
BES2=V
ILC
I
SB
3.0V
3.3V
I
ALP
I
RT
I
LI
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
Auto Low Power Mode 3.0V
3.3V
Reset
V
DD
Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Flash Output Low Voltage
Flash Output High Voltage
SRAM Output Low Voltage
SRAM Output High Voltage
V
DD
=V
DD
Max, BEF#=V
ILC
, WE#=V
IHC
,
All I/O=V
ILC
/V
IHC
Reset=V
SS
±0.3V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
IOL =1 mA, V
DD
=V
DD
Min
IOH =-500 μA, V
DD
=V
DD
Min
0.7
V
DD
V
DD
-0.3
0.2
V
DD
-0.2
0.4
2.2
T8.6 523
1. I
DD
active while Erase or Program is in progress.
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