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參數(shù)資料
| 型號： | SST32HF202-70-4E-L3KE |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 1.40 HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-210AB-1, LFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/30頁 |
| 文件大小： | 399K |
| 代理商： | SST32HF202-70-4E-L3KE |
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Data Sheet
Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF202 / SST32HF402 / SST32HF802
7
2005 Silicon Storage Technology, Inc.
S71209-06-000
5/05
FIGURE 2: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
48-
BALL
LBGA (10
MM
X
12
MM
)
TABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
Symbol
A
MS1
-A
0
Pin Name
Address Inputs
Functions
To provide flash addresses, A
16
-A
0
for 2M, A
17
-A
0
for 4M, and A
18
-A
0
for 8M.
To provide SRAM addresses, A
16
-A
0
for 2M.
To output data during Read cycles and receive input data during Write cycles.
Data is internally latched during a flash Erase/Program cycle.
The outputs are in tri-state when OE# or BES# and BEF# are high.
To activate the SRAM memory bank when BES# is low.
To activate the Flash memory bank when BEF# is low.
To gate the data output buffers.
To control the Write operations.
2.7-3.3V power supply (for L3K package only)
2.7-3.3V power supply to flash only
2.7-3.3V power supply to SRAM only
1. A
MS
= Most significant address
2. F
or SST32HF802 in the LBK package only
DQ
15
-DQ
0
Data Input/output
BES#
BEF#
OE#
WE#
V
DD
V
DDF2
V
DDS2
V
SS
UBS#
LBS#
NC
SRAM Memory Bank Enable
Flash Memory Bank Enable
Output Enable
Write Enable
Power Supply
Power Supply (Flash)
Power Supply (SRAM)
Ground
Upper Byte Control (SRAM)
Lower Byte Control (SRAM)
No Connection
To enable DQ
15
-DQ
8
To enable
DQ
7
-DQ
0
Unconnected Pins
T2.4 1209
BES#
A10
OE#
A11
A13
WE#
VSS
DQ5
DQ7
A8
A17
VDDS
DQ1
DQ2
DQ4
A5
UBS#
A16
A1
A0
DQ0
DQ8
BEF#
VSS
A2
A3
A6
DQ3
DQ10
DQ9
A4
A7
A18
DQ12
VDDF
DQ11
NC
NC
NC
A12
DQ6
DQ13
A9
A14
A15
LBS#
DQ15
DQ14
A B C D E F G H
SST32HF802
6
5
4
3
2
1
TOP VIEW (balls facing down)
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST34HF1601-70-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1601-90-4C-L1P | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602D-70-4C-B1PE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602C | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
| SST34HF1602D-70-4C-B1SE | 16 Mbit Concurrent SuperFlash + 2/4/8 Mbit SRAM ComboMemory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST32HF202-90-4C-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4C-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4E-L3K | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF202-90-4E-L3KE | 功能描述:組合存儲器 2M FLASH 2M SRAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| SST32HF3241 | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:Multi-Purpose Flash Plus + SRAM ComboMemory |
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