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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST32HF202-70-4C-L3K |
| 英文描述： | RAW120-02378-0001 |
| 中文描述： | 混合存儲(chǔ)器|靜態(tài)存儲(chǔ)器EEPROM中|的CMOS | BGA封裝| 48PIN |塑料 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | SST32HF202-70-4C-L3K |
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10
Data Sheet
Multi-Purpose Flash (MPF) + SRAM ComboMemory
SST32HF802 / SST32HF162 / SST32HF164
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71171-05-000
8/01
520
AC CHARACTERISTICS
TABLE
9: SRAM R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
RCS
T
AAS
T
BES
T
OES
T
BYES
T
BLZS1
T
OLZS1
T
BYLZS1
T
BHZS1
T
OHZS1
T
BYHZS1
T
OHS
Parameter
Read Cycle Time
Address Access Time
Bank Enable Access Time
Output Enable Access Time
UBS#, LBS# Access Time
BES# to Active Output
Output Enable to Active Output
UBS#, LBS# to Active Output
BES# to High-Z Output
Output Disable to High-Z Output
UBS#, LBS# to High-Z Output
Output Hold from Address Change
SST32HF802/162/164-70
Min
70
SST32HF802/162/164-90
Min
90
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
70
70
35
70
90
90
45
90
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
0
0
0
0
0
0
25
25
35
35
35
45
0
0
10
10
T9.1 520
TABLE 10: SRAM W
RITE
C
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WCS
T
BWS
T
AWS
T
ASTS
T
WPS
T
WRS
T
BYWS
T
ODWS
T
OEWS
T
DSS
T
DHS
Parameter
Write Cycle Time
Bank Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
UBS#, LBS# to End-of-Write
Output Disable from WE# Low
Output Enable from WE# High
Data Set-up Time
Data Hold from Write Time
SST32HF802/162/164-70
Min
70
60
60
0
60
0
60
SST32HF802/162/164-90
Min
90
80
80
0
80
0
80
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
Max
30
40
0
0
30
0
40
0
T10.1 520
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST32HF202-70-4E-L3K | MIXED MEMORY|SRAM+EEPROM|CMOS|BGA|48PIN|PLASTIC |
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參數(shù)描述 |
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