參數(shù)資料
型號(hào)： SST30VR043-150-E-WH
英文描述： System on a Chip; Supply Voltage: 5V; Temperature Range: -40° to +85°C; Package: 100-TQFP; Features: Nonvolatile, Programmable
中文描述： 混合存儲(chǔ)器| SRAM的光盤(pán)|的CMOS | TSSOP封裝| 32腳|塑料
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 111K
代理商： SST30VR043-150-E-WH
6
Data Sheet
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM
ROM/RAM Combo
SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71135-02-000
4/01
380
FIGURE 5: ROM R
EAD
C
YCLE
T
IMING
D
IAGRAM
(ROMCS# & OE# C
ONTROLLED
)
TRC
TAA
TCO
TLZ(2)
TOHZ(1)
TOH
THZ(1,2)
Data Valid
380 ILL F03.0
Data Out
OE#
ROMCS#
High-Z
Address
TOE
TOLZ
Notes: 1. THZ and TOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition
and are referenced to the VOH or VOL.
2. At any given temperature and voltage condition THZ(max) is less than TLZ(min) both for a given
device and from device to device.
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