- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365682 > SST29VE020 (Silicon Storage Technology, Inc.) 2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM(2 M(256K x8)按頁存取模式EEPROM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SST29VE020 |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM(2 M(256K x8)按頁存取模式EEPROM) |
| 中文描述： | 2兆位（256K × 8）頁面模式的EEPROM（2米（256K × 8）按頁存取模式的EEPROM） |
| 文件頁數(shù)： | 5/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | SST29VE020 |
Data Sheet
2 Mbit Page-Mode EEPROM
SST29EE020 / SST29LE020 / SST29VE020
5
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71062-06-000
6/01
307
FIGURE 2: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
32-
LEAD
TSOP
FIGURE 3: P
IN
A
SSIGNMENTS
FOR
32-
PIN
PDIP
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
307 ILL F01.2
Standard Pinout
Top View
Die Up
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
PDIP
Top View
307 ILL F19.0
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
TABLE
2: P
IN
D
ESCRIPTION
Symbol
A
17
-A
7
A
6
-A
0
DQ
7
-DQ
0
Pin Name
Row Address Inputs
Column Address Inputs
Data Input/output
Functions
To provide memory addresses. Row addresses define a page for a Write cycle.
Column Addresses are toggled to load page data
To output data during Read cycles and receive input data during Write cycles.
Data is internally latched during a Write cycle.
The outputs are in tri-state when OE# or CE# is high.
To activate the device when CE# is low.
To gate the data output buffers.
To control the Write operations.
To provide:
5.0V supply (±10%) for SST29EE020
3.0V supply (3.0-3.6V) for SST29LE020
2.7V supply (2.7-3.6V) for SST29VE020
CE#
OE#
WE#
V
DD
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
Power Supply
V
SS
NC
Ground
No Connection
Unconnected pins.
T2.2 307
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29EE020 | 2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM(2 M(256K x8)按頁存取模式EEPROM) |
| SST29VE512 | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29EE010-120-4C-EH | 128Kx8 EEPROM |
| SST29EE010-120-4CNH | IC SMD |
| SST29EE010-120-4C-NH | 128Kx8 EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VE020-200-4C-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4I-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。