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    參數(shù)資料
    型號: SST29VE010-70-4I-UH
    廠商: Silicon Storage Technology, Inc.
    英文描述: 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM
    中文描述: 1兆位(128K的× 8)頁模式的EEPROM
    文件頁數(shù): 10/26頁
    文件大?。?/td> 326K
    代理商: SST29VE010-70-4I-UH
    10
    Data Sheet
    512 Kbit Page-Mode EEPROM
    SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
    2001 Silicon Storage Technology, Inc.
    S71060-06-000
    6/01
    301
    AC CHARACTERISTICS
    TABLE 10: R
    EAD
    C
    YCLE
    T
    IMING
    P
    ARAMETERS
    FOR
    SST29EE512
    Symbol
    T
    RC
    T
    CE
    T
    AA
    T
    OE
    T
    CLZ1
    T
    OLZ1
    T
    CHZ1
    T
    OHZ1
    T
    OH1
    Parameter
    Read Cycle Time
    Chip Enable Access Time
    Address Access Time
    Output Enable Access Time
    CE# Low to Active Output
    OE# Low to Active Output
    CE# High to High-Z Output
    OE# High to High-Z Output
    Output Hold from Address Change
    SST29EE512-70
    Min
    70
    SST29EE512-90
    Min
    90
    Units
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    Max
    Max
    70
    70
    30
    90
    90
    40
    1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
    0
    0
    0
    0
    20
    20
    30
    30
    0
    0
    T10.2 301
    TABLE 11: R
    EAD
    C
    YCLE
    T
    IMING
    P
    ARAMETERS
    FOR
    SST29LE512
    Symbol
    T
    RC
    T
    CE
    T
    AA
    T
    OE
    T
    CLZ1
    T
    OLZ1
    T
    CHZ1
    T
    OHZ1
    T
    OH1
    Parameter
    Read Cycle Time
    Chip Enable Access Time
    Address Access Time
    Output Enable Access Time
    CE# Low to Active Output
    OE# Low to Active Output
    CE# High to High-Z Output
    OE# High to High-Z Output
    Output Hold from Address Change
    SST29LE512-150
    Min
    150
    SST29LE512-200
    Min
    200
    Units
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    Max
    Max
    150
    150
    60
    200
    200
    100
    1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
    0
    0
    0
    0
    30
    30
    50
    50
    0
    0
    T11.1 301
    TABLE 12: R
    EAD
    C
    YCLE
    T
    IMING
    P
    ARAMETERS
    FOR
    SST29VE512
    Symbol
    T
    RC
    T
    CE
    T
    AA
    T
    OE
    T
    CLZ1
    T
    OLZ1
    T
    CHZ1
    T
    OHZ1
    T
    OH1
    Parameter
    Read Cycle Time
    Chip Enable Access Time
    Address Access Time
    Output Enable Access Time
    CE# Low to Active Output
    OE# Low to Active Output
    CE# High to High-Z Output
    OE# High to High-Z Output
    Output Hold from Address Change
    SST29VE512-200
    Min
    200
    SST29VE512-250
    Min
    250
    Units
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    Max
    Max
    200
    200
    100
    250
    250
    120
    1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
    0
    0
    0
    0
    50
    50
    50
    50
    0
    0
    T12.1 301
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    SST29VE010-70-4I-WH 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM
    SST29VE010-90-4C-EH 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM
    SST29VE010-90-4C-NH 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM
    SST29VE010-90-4C-PH 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM
    SST29VE010-90-4C-UH 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    SST29VE020-200-4C-EH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    SST29VE020-200-4C-EHE 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    SST29VE020-200-4C-NH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    SST29VE020-200-4C-NHE 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
    SST29VE020-200-4I-EH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel