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參數(shù)資料
| 型號： | SST29VE010-70-4C-WH |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 15/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | SST29VE010-70-4C-WH |
Data Sheet
512 Kbit Page-Mode EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
15
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-06-000
6/01
301
FIGURE 10: S
OFTWARE
C
HIP
-E
RASE
T
IMING
D
IAGRAM
FIGURE 11: S
OFTWARE
ID E
NTRY
AND
R
EAD
301 ILL F09.2
CE#
OE#
WE#
ADDRESS A14-0
DQ 7-0
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
TBLCO
TBLC
TSCE
TWP
5555
5555
55
AA
55
10
AA
80
Six-Byte Code for Software Chip-Erase
2AAA
2AAA
5555
5555
301 ILL F10.2
CE#
OE#
WE#
ADDRESS A14-0
DQ 7-0
SW0
SW1
SW2
DEVICE ID = 5DH for SST29EE512
= 3DH for SST29LE512/29VE512
TIDA
TAA
TBLC
TWP
5555
55
AA
BF
DEVICE ID
90
Three-Byte Sequence
for Software ID Entry
0000
2AAA
0001
5555
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SST29VE020-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4I-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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