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參數資料
| 型號： | SST29VE010-70-4C-PH |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM |
| 文件頁數： | 11/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商： | SST29VE010-70-4C-PH |
Data Sheet
512 Kbit Page-Mode EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
11
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-06-000
6/01
301
TABLE 13: P
AGE
-W
RITE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
Symbol
T
WC
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
DS
T
DH1
T
BLC1
T
BLCO1
T
IDA1
T
SCE
Parameter
Write Cycle (Erase and Program)
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Byte Load Cycle Time
Byte Load Cycle Time
Software ID Access and Exit Time
Software Chip-Erase
SST29EE512
Min
SST29LE/VE512
Min
Units
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
μs
ms
Max
10
Max
10
0
0
50
0
0
0
0
70
70
35
0
0.05
200
70
0
0
0
0
120
120
50
0
0.05
200
100
100
10
20
10
20
T13.6 301
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-70-4C-UH | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE010-70-4C-WH | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE010-70-4I-EH | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE010-70-4I-NH | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE010-70-4I-PH | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SST29VE020-200-4C-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4I-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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