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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST29VE010-150-4C-U |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 9/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 900K |
| 代理商： | SST29VE010-150-4C-U |
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9
1998 Silicon Storage Technology, Inc.
304-04 12/97
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010, SST29LE010, SST29VE010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
T
ABLE
8: C
APACITANCE
(T
a
= 25 °C, f=1 MHz, other pins open)
Parameter
Description
C
I/O(1)
I/O Pin Capacitance
C
IN(1)
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O =
0V
V
IN =
0V
Maximum
12 pF
6 pF
Note:
(1)
This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
304 PGM T8.0
T
ABLE
9: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END
T
DR(1)
V
ZAP_HBM(1)
Parameter
Endurance
Data Retention
ESD Susceptibility
Human Body Model
ESD Susceptibility
Machine Model
Latch Up
Minimum Specification
10,000
(2)
100
1000
Units
Cycles
Years
Volts
Test Method
MIL-STD-883, Method 1033
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard A114
V
ZAP_MM(1)
200
Volts
JEDEC Standard A115
I
LTH(1)
100
mA
JEDEC Standard 78
Note:
(1)
This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
(2)
See Ordering Information for desired type.
304 PGM T9.1
T
ABLE
7: P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ(1)
T
PU-WRITE(1)
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Maximum
100
5
Units
μs
ms
304 PGM T7.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29VE010-150-4C-W | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-150-4I-E | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-150-4I-N | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-150-4I-P | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| SST29VE010-150-4I-U | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VE010-150-4I-NHE | 功能描述:閃存 1M (128K x 8) 150ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-EH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NH | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE010-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 128K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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