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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST29EE020A-150-4C-PH |
| 元件分類： | EEPROM |
| 英文描述： | 128Kx8 EEPROM |
| 中文描述： | 128Kx8 EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/26頁(yè) |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | SST29EE020A-150-4C-PH |
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8
Data Sheet
512 Kbit Page-Mode EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-06-000
6/01
301
TABLE
5: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 5.0V±10%
FOR
SST29EE512
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Write
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
30
50
3
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
50
μA
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
1
μA
μA
V
V
V
V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=2.1 mA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-400 μA, V
DD
=V
DD
Min
10
0.8
2.0
0.4
2.4
T5.1 301
TABLE
6: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 3.0-3.6V
FOR
SST29LE512
AND
2.7-3.0V
FOR
SST29VE512
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Write
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
12
15
1
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
15
μA
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
1
μA
μA
V
V
V
V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
10
0.8
2.0
0.4
2.4
T6.2 301
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29LE020-200-4C-NH | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| SST29LE020-200-4I-EH | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| SST29LE020-200-4I-WH | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| SST29LE020-250-4C-EH | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
| SST29LE020-250-4C-NH | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29EE512 | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Write EEPROM |
| SST29EE512-150-4C-EH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29EE512-150-4C-NH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29EE512-150-4C-PH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29EE512-150-4C-UH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
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