參數(shù)資料
型號： SST29EE020-120-4I-NH
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： PROM
英文描述： 128Kx8 EEPROM
中文描述： 256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PQCC32
封裝： PLASTIC, MS-016AE, LCC-32
文件頁數(shù)： 8/26頁
文件大小： 326K
代理商： SST29EE020-120-4I-NH
8
Data Sheet
512 Kbit Page-Mode EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71060-06-000
6/01
301
TABLE
5: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 5.0V±10%
FOR
SST29EE512
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Write
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
30
50
3
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
50
μA
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
1
μA
μA
V
V
V
V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=2.1 mA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-400 μA, V
DD
=V
DD
Min
10
0.8
2.0
0.4
2.4
T5.1 301
TABLE
6: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
DD
= 3.0-3.6V
FOR
SST29LE512
AND
2.7-3.0V
FOR
SST29VE512
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Write
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
12
15
1
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
15
μA
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
1
μA
μA
V
V
V
V
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
10
0.8
2.0
0.4
2.4
T6.2 301
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29LE020-200-4C-EH 128Kx8 EEPROM
SST29LE020-200-4C-WH 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
SST29LE020-200-4I-NH 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
SST29EE512 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM(512K(64K x8)頁模式EEPROM)
SST29SF040 512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST29EE020-120-4I-NHE 功能描述:閃存 256K X 8 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29EE020-120-4I-WH 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|256KX8|CMOS|TSSOP|32PIN|PLASTIC
SST29EE020-150-4C-EH 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM
SST29EE020-150-4C-NH 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM
SST29EE020-150-4C-PH 制造商:Silicon Storage Technology (SST) 功能描述: 制造商:SST 功能描述: 制造商:Silicon Storage Technology (SST) 功能描述:Electronic Component
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