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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SST28VF040A-200-4I-NH |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 200 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 323K |
| 代理商： | SST28VF040A-200-4I-NH |
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8
Data Sheet
4 Mbit SuperFlash EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71077-04-000
6/01
310
TABLE
6: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
FOR
SST28SF040A
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Program and Erase
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Supervoltage for A
9
Supervoltage Current for A
9
32
40
3
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
20
μA
CE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
1
μA
μA
V
V
V
V
V
μA
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=2.1 mA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-400 μA, V
DD
=V
DD
Min
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, A
9
=V
H
Max
10
0.8
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
200
T6.4 310
TABLE
7: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
FOR
SST28VF040A
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Program and Erase
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Supervoltage for A
9
Supervoltage Current for A
9
10
25
20
mA
mA
μA
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
1
μA
μA
V
V
V
V
V
μA
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, A
9
=V
H
Max
10
0.8
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
200
T7.4 310
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| SST28VF040A-200-4I-WH | 制造商:SST 制造商全稱(chēng):Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-90-4C-EH | 制造商:SST 制造商全稱(chēng):Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-90-4C-NH | 制造商:SST 制造商全稱(chēng):Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-90-4C-PH | 制造商:SST 制造商全稱(chēng):Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
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