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參數(shù)資料
| 型號： | SST28VF040A-150-4C-EH |
| 廠商： | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, 150 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 8 X 20 MM, MO-142BD, TSOP1-32 |
| 文件頁數(shù)： | 8/24頁 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | SST28VF040A-150-4C-EH |
8
Data Sheet
4 Mbit SuperFlash EEPROM
SST28SF040A / SST28VF040A
2001 Silicon Storage Technology, Inc.
S71077-04-000
6/01
310
TABLE
6: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
FOR
SST28SF040A
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Program and Erase
Standby V
DD
Current
(TTL input)
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Supervoltage for A
9
Supervoltage Current for A
9
32
40
3
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
20
μA
CE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
1
μA
μA
V
V
V
V
V
μA
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=2.1 mA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-400 μA, V
DD
=V
DD
Min
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, A
9
=V
H
Max
10
0.8
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
200
T6.4 310
TABLE
7: DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
FOR
SST28VF040A
Symbol
I
DD
Parameter
Power Supply Current
Limits
Max
Test Conditions
Address input=V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min,
V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, all I/Os open
CE#=WE#=V
IL
, OE#=V
IH
, V
DD
=V
DD
Max
CE#=OE#=WE#=V
DD
-0.3V, V
DD
=V
DD
Max
Min
Units
Read
Program and Erase
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Supervoltage for A
9
Supervoltage Current for A
9
10
25
20
mA
mA
μA
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
1
μA
μA
V
V
V
V
V
μA
V
IN
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
OUT
=GND to V
DD
, V
DD
=V
DD
Max
V
DD
=V
DD
Min
V
DD
=V
DD
Max
I
OL
=100 μA, V
DD
=V
DD
Min
I
OH
=-100 μA, V
DD
=V
DD
Min
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
CE#=OE#=V
IL
, WE#=V
IH
, A
9
=V
H
Max
10
0.8
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
200
T7.4 310
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST28VF040A-150-4C-NH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-150-4C-PH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-150-4C-WH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-150-4I-EH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-150-4I-NH | 4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST28VF040A-150-4C-EHE | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 150ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-150-4C-NH | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 150ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-150-4C-NHE | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 512K X 8 150ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| SST28VF040A-150-4C-PH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
| SST28VF040A-150-4C-WH | 制造商:SST 制造商全稱:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:4 Mbit (512K x8) SuperFlash EEPROM |
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