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參數(shù)資料
| 型號： | SSP7N60A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 先進的功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | SSP7N60A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSP7N60B | 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SSP7N60BTSTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| SSP7N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
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| SSP-814 | 制造商:Cherry Aerospace 功能描述: |
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