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參數(shù)資料
| 型號： | SSG50C60 |
| 英文描述： | TRIAC|600V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8 |
| 中文描述： | 可控硅| 600V的五（DRM）的| 50A條口（T）的有效值|到208VARM8 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | SSG50C60 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSG50C80 | TRIAC|800V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8 |
| SSG70C100 | TRIAC|1KV V(DRM)|70A I(T)RMS|TO-209VARM12 |
| SSG70C120 | TRIAC|1.2KV V(DRM)|70A I(T)RMS|TO-209VARM12 |
| SSG70C20 | TRIAC|200V V(DRM)|70A I(T)RMS|TO-209VARM12 |
| SSG70C30 | TRIAC|300V V(DRM)|70A I(T)RMS|TO-209VARM12 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSG50C80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|800V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8 |
| SSG50V221M | 制造商:Surge Components Inc 功能描述: |
| SSG50V330K | 制造商:Surge Components Inc 功能描述: |
| SSG5509A | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
| SSG55N60 | 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:55 AMP /600 Volts 1.65 V saturation ultrafast IGBT |
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