參數(shù)資料
型號(hào)： SS1H10-E3/63T
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： SS1H10-E3/63T
Document Number 88747
07-Jul-06
www.vishay.com
3
SS1H9 & SS1H10
Vishay General Semiconductor
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
100
10
1
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
0.10
1
10
100
1000
10000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal
10
100
1000
0.1
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
1.0
10
100
0.01
0.1
1
10
100
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
0.157 (3.99)
0.177 (4.50)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.008 (0.203)
0.194 (4.93)
0.208 (5.28)
0.100 (2.54)
0.110 (2.79)
0.078 (1.98)
0.090 (2.29)
0.049 (1.25)
0.065 (1.65)
Cathode Band
0 (0)
DO-214AC (SMA)
0.074 MAX.
(1.88 MAX.)
0.208
(5.28) REF
0.066 MIN.
(1.68 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
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PDF描述
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