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參數(shù)資料
| 型號： | SS10P5-G3/87A |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | SS10P5-G3/87A |
New Product
SS10P5 & SS10P6
Vishay General Semiconductor
Document Number: 89043
Revision: 26-May-08
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3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curve
Figure 2. Forward Power Loss Characteristics
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Resistive or Inductive Load
T
L measured
at the Cathode Band Terminal
Average Forward Current (A)
A
v
er
age
P
o
w
er
Loss
(
W
)
02
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
7
D = 0.1
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
6
D = 0.2
D = t
p/T
t
p
T
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
1.0
100
10
1
0.1
0.01
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
0.5
0.7
0.9
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
T
A = 150 °C
T
A = 125 °C
T
A = 25 °C
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
10 000
1000
100
0.1
1
10
100
10
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Junction to Ambient
1
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PDF描述 |
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| SS10P6-G3/87A | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
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| SS10P6 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
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