參數(shù)資料
型號: SQD50AB100
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: TRANSISTOR MODULE (NON-ISOLATED TYPE)
中文描述: 晶體管模塊(非隔離型)
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 268K
代理商: SQD50AB100
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PDF描述
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參數(shù)描述
SQD50N02-04-GE3 功能描述:MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SQD50N02-04L 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全稱:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQD50N02-04L-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SQD50N03-06P 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全稱:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQD50N03-06P-GE3 功能描述:MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube