| 型號(hào)： |
SQD19P06-60L-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
8/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH D-S 60V TO252 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
2,000 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
20A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
55 毫歐 @ 19A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
41nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1490pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
46W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
TO-252，（D-Pak）
|
| 包裝： |
帶卷 (TR)
|