參數(shù)資料
    

    


    


    
型號：
SQD15N06-42L-GE3

    

    
廠商：
Vishay Siliconix

    

    
文件頁數(shù)：
9/9頁

    

    
文件大小：
0K

    

    
描述：
MOSFET N-CH 60V 15A TO252

    

    
標準包裝：
2,000

    

    
系列：
TrenchFET®

    

    
FET 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
    		

    

    
FET 特點：
邏輯電平門
    		

    

    
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V
    		

    

    
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
15A
    		

    

    
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
42 毫歐 @ 10A，10V
    		

    

    
Id 時的 Vgs(th)（最大）：
2.5V @ 250µA
    		

    

    
閘電荷(Qg) @ Vgs：
15nC @ 10V
    		

    

    
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
535pF @ 25V
    		

    

    
功率 - 最大：
33W
    		

    

    
安裝類型：
表面貼裝
    		

    

    
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
    		

    

    
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-252，（D-Pak）
    		

    

    
包裝：
帶卷 (TR)