參數(shù)資料
型號: SQ1421EEH-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 7/9頁
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描述: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
特色產(chǎn)品: SQ Series Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 290 毫歐 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 355pF @ 25V
功率 - 最大: 3.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SQ1421EEH-T1-GE3DKR