參數(shù)資料
型號： SPP6507S26RG
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 211K
代理商： SPP6507S26RG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
Unless otherwise noted)
℃
2006/08/10
Ver.1
Page 3
SPP6507
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current
V
(BR)DSS
V
GS
=0V,I
D
=-10uA
V
GS(th)
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
I
D(on)
V
DS
= -5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V,I
D
=-2.8A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-2.5A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-1.5A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.0A
gfs
V
DS
=-10V,I
D
=-2.8A
V
SD
I
S
=-1.2A,V
GS
=0V
-30
-0.4
-1.0
±100
-1
V
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
-10
uA
On-State Drain Current
-4
A
0.085
0.100
0.135
0.185
4.0
-0.8
0.105
0.115
0.150
0.215
-1.2
Drain-Source On-Resistance
R
DS(on)
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
S
V
Dynamic
Total Gate Charge
Q
g
5.8
Gate-Source Charge
Q
gs
0.8
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=-15V ,V
GS
=-4.5V
I
D
≡
-2.0A
1.5
nC
Input Capacitance
C
iss
380
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
C
rss
55
40
V
DS
=-15V ,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
t
d(on)
6
Turn-On Time
t
r
3.9
t
d(off)
40
Turn-Off Time
t
f
V
DD
=-15V ,R
L
=15
I
D
≡
-1.0A ,V
GEN
=-10V
R
G
=3
15
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP7401 P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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SPP7407 P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
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SPP-6B400 功能描述:FUSE MOD 400A 700V BLADE RoHS:是 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 保險絲 - 電氣，特制 系列:Semitron™ SPP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3 系列:NH 保險絲類型:- 電壓 - 額定:690VAC 電流:355A 封裝/外殼:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安裝類型:支座 顏色:- 工作溫度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
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SPP-6B500 功能描述:保險絲 500A 700V 2FU/90 RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風(fēng)格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
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