參數(shù)資料
型號： SPN6562
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 雙N溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： SPN6562
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
Unless otherwise noted)
℃
2006/08/15
Ver.1
Page 3
SPN6562
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Leakage Current
V
(BR)DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS(th)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=24V,V
GS
=1.0V
I
DSS
V
DS
=24V,V
GS
=0.0V
T
J
=55
℃
V
DS
≧
4.5V,V
GS
=10V
I
D(on)
V
DS
≧
4.5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 10V,I
D
=2.8A
V
GS
=4.5V,I
D
=2.3A
R
DS(on)
V
GS
=2.5V,I
D
=1.5A
gfs
V
DS
=4.5V,I
D
=2.5A
V
SD
I
S
=1.25A,V
GS
=0V
30
0.8
1.6
±100
1
V
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
10
uA
6
4
On-State Drain Current
A
0.055
0.065
0.085
4.6
0.82
0.065
0.075
0.105
1.2
Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
Diode Forward Voltage
S
V
Dynamic
Total Gate Charge
Q
g
4.2
6
Gate-Source Charge
Q
gs
0.6
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=15,V
GS
=4.5V
I
D
≡
2.0A
1.5
nC
Input Capacitance
C
iss
350
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
C
rss
55
41
V
DS
=15,V
GS
=0V
f =1MHz
pF
t
d(on)
2.5
Turn-On Time
t
r
2.5
t
d(off)
20
Turn-Off Time
t
f
V
DD
=15,R
L
=10
V
GEN
=10V,R
G
=3
4
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPN6562S26RG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN7002D Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN7002DS36RG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN7400 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SPN7400S32RG N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPN7002D_10 制造商:SYNC-POWER 制造商全稱:SYNC-POWER 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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