參數(shù)資料
型號： SPJ-63SVR
廠商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SPJ-63SVR
SPB-64S
SPJ-63S
10
20
50
40
30
0
1
5
50
10
20ms
IFSM
(A)
Parameter
Type No.
Absolute Maximum Ratings
VRM
(V)
IF (AV)
(A)
IFSM
(A)
VF
(V)
IF
(A)
IF
/IRP
(mA)
Rth ( j-c)
IR
(mA)
IR (H)
(mA)
trr
(ns)
Tj
(
°C)
Tstg
(
°C)
Electrical Characteristics (Ta =25
°C)
(
°C/W)
(g)
Mass
Remarks
Center-tap
1 Chip
Others
SPB-64S
6.0
40
30
60
3.0
5.0
50
60
100
60
0.55
0.7
0.6
3.0
3.5
5.0
0.75
50
100/100
0.45
3.0
30
(Tj =125
°C)
——
–40 to +150
5.0
0.29
1.04
0.29
SPB-G34S
SPB-G54S
6.0
15.0
5.0
7.5
5.0
3.0
50
100/100
50
(Tj =150
°C)
2.5
——
SPB-G56S
A
B
10
20
50
40
30
0
1
5
50
10
20ms
IFSM
(A)
10
20
50
40
30
0
1
5
50
10
20ms
IFSM
(A)
SPB-G34S
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
10
1
0.1
0.01
0.001
010
30
50
60
20
40
SPJ-63S
6.0
MPE-24H
80
70
90
100
110
120
130
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VR=40V
100
95
105
110
115
120
125
0
1.0
0.5
2.0
1.5
2.5
3.0
VR=40V
D.C.
t / T 1/6
=
t / T 1/ 3
=
t / T 1/2
=
Sinewave
D.C.
t / T 1/6
=
t / T 1/ 3
=
t / T 1/2
=
Ta 125C
=
60C
100C
27C
100C
Ta 125C
=
60C
27C
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ta 125C
=
60C
100C
28C
100
10
1
0.1
0.01
0.005
010
30
50
60
20
40
100C
Ta 125C
=
60C
28C
6.5±0.4
2.3±
0.4
5.4
4.9
4.1
5.4±
0.4
1.7
±0.5
5.5
±0.4
2.5
±0.4
0.8
±0.1
0.8
1.5 max
±0.1
0.55 ±
0.1
0.55 ±
0.1
1.15
12
3
±0.1
1.2max
2.29±
0.5 2.29±0.5
0 to 0.25
0.5
±0.2
2.9
0.16
1.37
5.0
0.7
VR=VRM, Ta=100
°C
max per element
VR =VRM
max per element
86
1.2
1.27
10.2
0.86
0.76
2.54
4.44
1.3
2.59
0.4
3.19
1.3
8.5
10.0
11.3
11.0
1.4
Schottky Barrier Diodes (Power Surface Mount) 30V, 40V, 60V
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
max per
element
Fig.
Forward Voltage VF (V)
Forward
Current
I
F
(A)
VF—IF Characteristics (Typical)
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
Peak
For
ward
Surge
Current
I
FSM
(A)
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
Peak
For
ward
Surge
Current
I
FSM
(A)
Reverse Voltage
VR (V)
Reverse
Current
I
R
(mA)
VR—IR Characteristics (Typical)
Case Temperature Tc
(
°C)
Average
Forward
Current
I
F
(AV)
(A)
Tc —IF(AV) Derating
Forward Voltage VF (V)
Forward
Current
I
F
(A)
VF—IF Characteristics (Typical)
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
Peak
For
ward
Surge
Current
I
FSM
(A)
Reverse Voltage
VR (V)
Reverse
Current
I
R
(mA)
VR—IR Characteristics (Typical)
Case Temperature Tc
(
°C)
Average
Forward
Current
I
F
(AV)
(A)
Tc —IF(AV) Derating
Sinewave
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
A
Fig.
B
Fig.
Type No.
Polarity
Lot No.
13
2 (Common to backside of case)
N.C
1 Chip
Anode
Cathode
Anode
Center-tap
Anode
Cathode (Common)
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SPJ-6B350 功能描述:保險絲 350A 1000V RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
SPJ-6B450 功能描述:FUSE MOD 450A 1000V BLADE RoHS:是 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 保險絲 - 電氣，特制 系列:Semitron™ SPJ 標準包裝:3 系列:NH 保險絲類型:- 電壓 - 額定:690VAC 電流:355A 封裝/外殼:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安裝類型:支座 顏色:- 工作溫度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
SPJ-6B500 功能描述:FUSE MOD 500A 1000V BLADE RoHS:是 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 保險絲 - 電氣，特制 系列:Semitron™ SPJ 標準包裝:3 系列:NH 保險絲類型:- 電壓 - 額定:690VAC 電流:355A 封裝/外殼:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安裝類型:支座 顏色:- 工作溫度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
SPJ-6B700 功能描述:保險絲 700A 1000V 2FU/115 RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485
SPJ-6E300 功能描述:FUSE MOD 300A 1000V BLADE RoHS:是 類別:過電壓，電流，溫度裝置 >> 保險絲 - 電氣，特制 系列:Semitron™ SPJ 標準包裝:3 系列:NH 保險絲類型:- 電壓 - 額定:690VAC 電流:355A 封裝/外殼:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安裝類型:支座 顏色:- 工作溫度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
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