參數(shù)資料
型號(hào)： SPD31N05
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 31 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： SPD31N05
Semiconductor Group
8
30/Jan/1998
SPD31N05
SPU31N05
Avalanche energy
E
AS
=
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 31 A,
V
DD
= 25 V
R
GS
= 25
,
L
= 291 μH
20
40
60
80
100
120
140
°C
T
j
180
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
mJ
150
E
AS
Typ. gate charge
V
GS
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 31 A
0
4
8
12
16
20
24
28
32 nC 38
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(BR)DSS
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