參數(shù)資料
型號(hào)： SPB73N03S2L-08
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 415K
代理商： SPB73N03S2L-08
2003-04-24
Page 3
SPI73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08,SPB73N03S2L-08
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=62A
32
63
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
1290
500
1710 pF
670
Reverse transfer capacitance
-
-
130
7.7
190
11.6
Turn-on delay time
Rise time
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=18A,
R
G
=4.7
ns
-
20
30
Turn-off delay time
-
-
31.5
19
47.3
28.5
Fall time
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V,
I
D
=36A
-
-
4
12
5
18
nC
Gate to drain charge
Gate charge total
V
DD
=24V,
I
D
=36A,
V
GS
=0 to 10V
-
34.7
46.2
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=24V,
I
D
=36A
-
3.6
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
73
A
Inv. diode direct current, pulsed
Inverse diode forward voltage
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
320
V
GS
=0V,
I
F
=73A
-
0.96
1.28
V
Reverse recovery time
V
R
=15V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
-
27
21
40
31
ns
nC
Reverse recovery charge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SPI80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
SPB73N03S2L-08 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB73N03S2L-08G 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 73A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB73N03S2L08T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB-7610AG 制造商:OPTOWAY 制造商全稱:Optoway Technology Inc 功能描述:1310 nm TX / 1550 nm RX , 3.3V / 1250 Mbps Single-Fiber SFP Transceiver
SPB-7610ALG 制造商:OPTOWAY 制造商全稱:Optoway Technology Inc 功能描述:1310 nm TX / 1550 nm RX , 3.3V / 1250 Mbps Single-Fiber SFP Transceiver
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