參數(shù)資料
型號(hào)： SP8M7
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Switching
中文描述： 開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： SP8M7
SP8M7
Transistors
Switching
1/5
SP8M7
z
Features
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small and Surface Mount Package (SOP8).
z
Application
Power switching, DC / DC converter.
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
z
External dimensions
(Unit : mm)
SOP8
Each lead has same dimensions
5.0
±
0.2
(
0.2
±
0.1
6
±
0
3
±
0
0
±
0
(
(
(
M
1.27
0
0.4
±
0.1
0.1
1
±
0
Parameter
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
Tch
Tstg
Symbol
Nchannel
30
±
20
±
5.0
±
20
1.6
6.4
Pchannel
30
±
20
±
7.0
±
28
1.6
28
Limits
Unit
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation (T
C
=
25
°
C)
Channel temperature
Storage temperature
1 Pw
≤
10
μ
s, Duty cycle
≤
1%
2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.
z
Thermal resistance
(Ta=25
°
C)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Source current
(Body diode)
2
150
55 to
+
150
2
150
55 to
+
150
1
1
2
z
Equivalent circuit
A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
(3) Tr2 (Pch) Source
(4) Tr2 (Pch) Gate
(5) Tr2 (Pch) Drain
(6) Tr2 (Pch) Drain
(7) Tr1 (Nch) Drain
(8) Tr1 (Nch) Drain
(1) (2) (3) (4)
(8) (7) (6) (5)
2
1
(8)
(7)
(1)
(2)
2
1
(6)
(5)
(3)
(4)
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
°
C / W
Rth (ch-A)
62.5
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SP8M8 Switching
SP8M9 Switching
SP94308 8-BIT VIDEO SYSTEM ADC
SP94308CDP 8-BIT VIDEO SYSTEM ADC
SP959B01-TD01 China Electronics Technology Group Corporation No.26 Research Institute
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參數(shù)描述
SP8M70TB1 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET, NCH+PCH 250V/-250V 3A/-2.5A SOP8 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH/P-CH 8-SOIC
SP8M7FU6TB 功能描述:MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SP8M7TB 功能描述:MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
SP8M8 制造商:ROHM 制造商全稱(chēng):Rohm 功能描述:Switching
SP8M8FU6TB 功能描述:MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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