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參數(shù)資料
| 型號： | SP702 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | SP702 |
S1A 2 DIE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
Vgs in Volts
8
10
12
14
I
Id
gM
S1A 2 DICE CAPACITANCE
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
S P 702 P OUT VS P IN Freq= 500MHz, VDS = 28V, Idq= .4A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
P IN IN WAT T S
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
Pout
Gain
Efficiency = 55%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SP702
S1A 2 DIE IV
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
vg=8v
14
16
18
20
VVDS IN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/28/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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