參數(shù)資料
型號: SO642
廠商: 意法半導體
英文描述: Small Signal NPN Transistor(小信號NPN晶體管)
中文描述: 小信號NPN晶體管(小信號npn型晶體管)
文件頁數(shù): 1/4頁
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代理商: SO642
SO642
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
I
SILICON EPITAXIALPLANAR NPN
TRANSISTOR
I
MINIATUREPLASTIC PACKAGEFOR
APPLICATIONIN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
HIGH VOLTAGETRANSISTOR FOR VIDEO
AMPLIFIER
I
PNP COMPLEMENT IS SO692
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
March 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
300
300
6
0.1
0.3
310
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
mW
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
2
3
SOT-23
Type
Marking
SO642
N91
1/4
相關PDF資料
PDF描述
SO692 Small Signal PNP Transistor(小信號PNP晶體管)
SO8B SMT-Precision-R-Networks
SO8D SMT-Precision-R-Networks
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SO692 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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