參數(shù)資料
型號(hào)： SN74V3670-10PEU
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
中文描述： 的3.3V的CMOS先入先出存儲(chǔ)器
文件頁數(shù)： 30/50頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： SN74V3670-10PEU
SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
30
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
tDS
tOLZ
No Operation
RCLK
REN
EF
OE
WEN
1
2
No Operation
Last Word
tsk1
(see Note A)
tref
tOLZ
tOHZ
tENH
tENS
tDH
tENH
tENS
tDS
tDH
Last Word
tENS
tENH
tCLKH
tCLKL
tENS
tENH
tENH
tA
tref
tA
tref
tA
tOE
WCLK
Q0
–
Qn
D0
–
Dn
D0
D1
D0
D1
tCLK
tENS
NOTES: A. tsk1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to ensure that EF goes high (after one
RCLK cycle + tref). If the time between the rising edge of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tsk1, EF deassertion can
be delayed one additional RCLK cycle.
B. LD = high
C. First-data-word latency: tsk1 + 1TRCLK + tREF
Figure 5. Read Cycle, Empty Flag, and First-Data-Word Latency Timing (Standard Mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74V3670-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN74V3690-15PEU 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SN75108AN DUAL LINE RECEIVERS
SN55107AFK DUAL LINE RECEIVERS
SN55107AW DUAL LINE RECEIVERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74V3670-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 8192 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3670-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 8192 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3670-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 8192 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3680-10PEU 功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74V3680-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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