參數(shù)資料
型號: SN74ACT7807-25PAG
廠商: Texas Instruments
文件頁數(shù): 17/20頁
文件大小: 0K
描述: IC SYNC FIFO MEM 2048X9 64-TQFP
標準包裝: 160
系列: 74ACT
功能: 同步
存儲容量: 18.4K(2K x 9)
數(shù)據(jù)速率: 67MHz
電源電壓: 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 64-TQFP
供應商設備封裝: 64-TQFP(10x10)
包裝: 托盤
其它名稱: 296-4465
SN74ACT7807
2048
× 9
CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SCAS200D – JANUARY 1991 – REVISED APRIL 1998
6
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
offset values for AF/AE
The AF/AE flag has two programmable limits: the almost-empty offset value (X) and the almost-full offset
value (Y). They can be programmed after the FIFO is reset and before the first word is written to memory. If the
offsets are not programmed, the default values of X = Y = 256 are used. The AF/AE flag is high when the FIFO
contains X or fewer words or (2048 – Y) or more words.
Program enable (PEN) should be held high throughout the reset cycle. PEN can be brought low only when IR
is high and WRTCLK is low. On the following low-to-high transition of WRTCLK, the binary value on D0–D8 and
WRTEN1/DP9 is stored as the almost-empty offset value (X) and the almost-full offset value (Y). Holding PEN
low for another low-to-high transition of WRTCLK reprograms Y to the binary value on D0–D8 and
WRTEN1/DP9 at the time of the second WRTCLK low-to-high transition. While the offsets are programmed,
data is not written to the FIFO memory, regardless of the state of the write enables (WRTEN1/DP9, WRTEN2).
A maximum value of 1023 can be programmed for either X or Y (see Figure 1). To use the default values of
X = Y = 256, PEN must be held high.
X and Y
MSB
34
RESET
PEN
D0–D8
WRTCLK
WRTEN1/DP9
WRTEN2
IR
X and Y
Y
YMSB
Word 1
Figure 1. Programming X and Y Separately
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PDF描述
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參數(shù)描述
SN74ACT7807-40FN 功能描述:先進先出 2048 x 9 synchronous 先進先出 memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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