參數(shù)資料
型號： SMP80MC-200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TRISIL FOR TELECOM EQUIPMENT PROTECTION
中文描述： 用于電信設(shè)備的TRISIL保護(hù)
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 85K
代理商： SMP80MC-200
SMP80MC
4/9
Figure 2: Pulse waveform
Figure 3: Non repetitive surge peak on-state
current versus overload duration
Figure 4: On-state voltage versus on-state
current (typical values)
Figure 5: Relative variation of holding current
versus junction temperature
Figure 6: Relative variation of breakover
voltage versus junction temperature
Figure 7: Relative variation of leakage current
versus junction temperature (typical values)
100
50
% I
PP
t
t
r
p
0
t
Repetitive peak pulse current
tr = rise time (μs)
tp = pulse duration time (μs)
I
(A)
TSM
0
1.E-02
5
10
15
20
25
30
35
40
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
t(s)
F=50Hz
Tj initial = 25°C
I (A)
T
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Tj=25°C
V (V)
I [Tj] / I [Tj=25°C]
H
H
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-40 -30 -20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
Tj(°C)
V
[Tj] /V
[Tj=25°C]
BO
BO
0.94
0.95
0.96
0.97
0.98
0.99
1.00
1.01
1.02
1.03
1.04
1.05
1.06
1.07
1.08
-40 -30 -20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
Tj(°C)
I [Tj] / I [Tj=25°C]
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
25
50
75
100
125
Tj(°C)
V =243V
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