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參數(shù)資料
| 型號： | SMP50-68 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩ |
| 中文描述： | 電信設(shè)備保護(hù)：⑩的TRISIL |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | SMP50-68 |
SMP50-xxx
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60
80
100
120
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
Tj(°C)
IH[Tj] / IH[Tj=25°C]
Fig. 3:
Relative variation of holding current versus
junction temperature.
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.94
0.96
0.98
1.00
1.02
1.04
1.06
1.08
Tj(°C)
VBO[Tj] /VBO[Tj=25°C]
Fig. 4:
Relative variation of breakover voltage ver-
sus junction temperature.
25
50
75
100
125
1
10
100
1000
2000
Tj(°C)
IRM[Tj] / IRM[Tj=25°C]
VR=VRM
Fig. 5:
Relative variation of leakage current versus
junction temperature (typical values).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1
10
100
200
tp (s)
Zth(j-a)(°C/W)
Zth(j-a)
Fig. 6:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
1
2
5
10
20
50
100
300
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VR(V)
C [VR] / C [VR=50V]
Tj=25°C
F=1MHz
VRMS=1V
Fig. 7:
Relative variation of junction capacitance
versus reverse voltage applied (typical values).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMP50-XXX | TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩ |
| SMP75-8 | TRISILTM |
| SMP80MC-200 | TRISIL FOR TELECOM EQUIPMENT PROTECTION |
| SMP80MC | TRISIL FOR TELECOM EQUIPMENT PROTECTION |
| SMP80MC-120 | TRISIL FOR TELECOM EQUIPMENT PROTECTION |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SMP50-XXX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩ |
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