參數(shù)資料
型號： SMP30
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL
中文描述： 電信設(shè)備保護(hù)：的TRISIL
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： SMP30
SMP30-xxx
4/8
Type
I
RM
@ V
RM
max
I
R
@ V
R MAX
Note 1
DYNAMIC
V
BO
@ I
BO
max
Note 2
STATIC
V
BO
@ I
BO
max
Note 3
I
H
min
Note 4
C
typ.
Note 5
C
typ.
Note 6
μA
V
μA
V
V
mA
V
mA
mA
pF
pF
SMP30-62
SMP30-68
SMP30-100
SMP30-120
SMP30-130
SMP30-180
SMP30-200
SMP30-220
SMP30-240
SMP30-270
2
56
61
90
108
117
162
180
198
216
243
50
62
68
100
120
130
180
200
220
240
270
85
93
135
160
173
235
262
285
300
350
800
82
90
133
160
173
240
267
293
320
360
800
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
20
20
16
16
14
14
12
12
12
12
40
40
35
30
30
25
25
25
25
25
Note 1:
Note 2:
Note 3:
Note 4:
Note 5:
Note 6:
IRmeasured at VRguarantee VBRmin
≥
VR
See functional breakover voltage test circuit 1.
See test circuit 2.
See functional holding current test circuit 3.
VR= 50V bias,VRMS = 1V, F = 1MHz.
VR= 2V bias, VRMS = 1V, F = 1MHz
ELECTRICAL PARAMETERS
(Tamb = 25°C)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
1E+3
0
5
10
15
20
F=50Hz
t(S)
I
(A)
TSM
Fig. 1:
Non repetitive surge peak on-state current
versus overload duration (Tj initial = 25°C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
2
5
10
20
50
V (V)
I (A)
Tj=25°C
Fig. 2:
On-state voltage versus on-state current
(typical values).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMP30-120 TRISILTM
SMP50-100 TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩
SMP50-120 TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩
SMP50-130 TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩
SMP50-180 TELECOM EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL⑩
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMP30_04 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:TRISIL FOR TELECOM EQUIPMENT PROTECTION
SMP3003 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
SMP3003_11 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SMP3003-DL-1E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH 4V DRIVE SERIES 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC
SMP3003-DL-E 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*