參數(shù)資料
型號(hào)： SMMBD301LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB
封裝： PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 65K
代理商： SMMBD301LT1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
January, 2007 Rev. 4
1
Publication Order Number:
MBD301/D
MBD301, MMBD301LT1
Preferred Device
Silicon HotCarrier Diodes
SCHOTTKY Barrier Diodes
These devices are designed primarily for highefficiency UHF and
VHF detector applications. They are readily adaptable to many other
fast switching RF and digital applications. They are supplied in an
inexpensive plastic package for lowcost, highvolume consumer
and industrial/commercial requirements. They are also available in a
Surface Mount package.
Features
Extremely Low Minority Carrier Lifetime 15 ps (Typ)
Very Low Capacitance 1.5 pF (Max) @ VR = 15 V
Low Reverse Leakage IR = 13 nAdc (Typ) MBD301, MMBD301
PbFree Packages are Available
MAXIMUM RATINGS
MBD301
MMBD301LT1
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
VR
30
V
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PF
280
2.8
200
2.0
mW
mW/
°C
Operating Junction
Temperature Range
TJ
55 to +125
°C
Storage Temperature Range
Tstg
55 to +150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
http://onsemi.com
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
= PbFree Package
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
MARKING
DIAGRAM
MBD
301
AYWW
G
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
TO92
(TO226AC)
CASE 182
STYLE 1
4T M
G
MBD301
SOT23
(TO236)
CASE 318
STYLE 8
30 VOLTS
SILICON HOTCARRIER
DETECTOR AND SWITCHING
DIODES
1
2
3
1
2
3
CATHODE
1
ANODE
2
CATHODE
1
ANODE
1
MMBD301LT1
M
= Date Code
G
= PbFree Package
MARKING
DIAGRAM
(Note: Microdot may be in either location)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBG13C/51 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG14/51 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG20CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG28A/52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG28C/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMMBD301LT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
SMMBD330T1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOT-323 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
SMMBD7000LT1G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) DL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
SMMBD7000LT3G 功能描述:DIODE SWITCH DUAL 100V SOT-23 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):497-10107-2
SMMBD701LT1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
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