| 型號(hào): | SMF33A-M-08 |
| 廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述: | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
| 封裝: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 6/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商: | SMF33A-M-08 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMF40A-M-08 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
| SMF40A-M-18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
| SMF43A-M-18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
| SMF45A-M-18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
| SMF6V5A-M-08 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMF33A-M-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-E3-M |
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| SMF33AT1G | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 33V 200W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMF33A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 53.3V 200W 3.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMF33CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 200W, 53.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |