參數(shù)資料
型號： SMF26AT/R13
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 103K
代理商： SMF26AT/R13
PAGE . 3
May 04.2010-REV.00
SMF5.0A~SMF170A
Fig.1 PEAK PULSE POWER RATING CURVE
Fig.2 DERATING CURVE
Fig.3 PULSE WAVEFORM
Fig.5 MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
Fig.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
td ,PULSE WIDTH, micro sec
T,TIME,ms
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
T ,AMBIENT TEMPERATURE, C
A
O
0.1
1.0
Non-Repetitve
Pulse Waveform
Shown in Figure.3
T= 25 C
A
O
1.0
10
100
1000
10000
P
,PEAK
PULSE
F
OR
W
A
RD
,KW
PPM
I
,PEAK
PULSE
C
URRENT
,%
PPM
I
,
PEAK
FOR
W
ARD
S
URGE
CURRENT
,
AMPERES
FSM
PEAK
PULSE
FOR
W
A
RD
(P
)O
R
C
URRENT
(I
)
DERA
TING
IN
P
ERCENT
AGE
%
PP
100
75
50
25
0
125
150
175
200
25
50
75
100
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
50
100
150
Ha lf Va lue -Ip p
2
e-kt
td
T= 25 C
Pulse Width (td) is Defined
as the Point where the Peak
Current Decayst to 50% of Ipp
A
O
tf = 10usec
Peak Value
Ippm
C
J,C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E,p
F
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
200
Me a sure d a t
Ze ro Bia s
T
J =2 5
C
O
f= 1.0MHZ
Vsig = 50mVp -p
10,000
1,000
100
10
V(RWM),REVERSESTAND-OFF VOLTAGE,VOLTS
Me a sure d a t
Sta nd -Off
Vo lta ge (V
)
RWM
50
40
30
20
10
2
4
10
20
40
100
0
1
T =T MAX
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
JJ
10/1000 msec Waveform
as Defined by R.E.A.
相關PDF資料
PDF描述
SMF40AT/R13 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB
SMF54AT/R7 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB
SA13CA 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
SA20A 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
SMCJ110A 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
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參數(shù)描述
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