型號: | SMCJ85ATR |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 198K |
代理商: | SMCJ85ATR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMCG36E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG40E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCG64AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMCJ10E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMCG10CAE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMCJ85C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 85Vr 1500W 11A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCJ85C/57T | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 85V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCJ85C/59T | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 85V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCJ85C/9AT | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 85V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMCJ85CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 85volts 5uA 10.4 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |